特許
J-GLOBAL ID：200903082603806818
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160239
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031745
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 隔膜真空計の0点ドリフトを補正し、圧力に関して常に安定した状態で成膜処理を可能とする。【構成】 隔膜真空計6と保護バルブ8の間と排気ポンプ10とを直結したセンサ補正ライン11を設ける。このライン11にはストップバルブ7が設けられ、このストップバルブ7を開き、保護バルブ8を閉じた状態で真空引きすることにより、隔膜真空計6の周囲を検出限界以下にし、そこを0点と定め、隔膜真空計6の0点補正を行なう。その後、保護バルブ8を開き成膜を行なうことにより、常に補正直後の正確な隔膜真空計6による圧力制御が可能で安定した成膜処理をすることができる。【効果】 隔膜真空計の0点補正が容易で、各ウェーハ成膜毎に補正でき、これにより常に正確な圧力制御下で成膜でき、成膜のばら付きが抑えられ、生産性が向上する。
請求項（抜粋）：
ボート上にウェーハを載せて密閉する反応室と、該反応室に反応ガス等を導入するガス導入ラインと、上記反応室の真空引きをする排気ラインと、該排気ラインに保護バルブを介して接続された隔膜真空計と、上記反応室のウェーハを加熱するヒータとを設けた減圧気相成長を行なう半導体製造装置において、上記保護バルブと隔膜真空計の間と上記排気ラインの真空ポンプに連結してストップバルブを介在させたセンサ補正ラインを設け、上記保護バルブを閉じるとともにストップバルブを開いて上記隔膜真空計の周囲を検出限界以下に真空引きして0点補正を行なうようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/16
, H01L 21/31
