特許

J-GLOBAL ID：200903082609892406

半導体装置及びその製造方法

発明者： 近藤 学
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028678
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228422
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 微細化、多ピン化された半導体チップのパッド部に対してもワイヤボンディング不良の発生を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上にAlパッド3を形成する工程と、ウエハ処理工程でAlパッド3上にAuバンプ5を形成する工程と、該Auバンプ5にAuワイヤ9によるボンディングを行う工程と、を具備するものである。これにより、ワイヤボンディング不良の発生を抑制できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたAlパッドと、該Alパッド上に形成されたAuバンプと、該Auバンプに接続されたAuワイヤと、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 21/60 301 H ,  H01L 21/60 301 D ,  H01L 21/60 301 P

Fターム (6件)：

5F044BB09 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE20 ,  5F044EE21 ,  5F044FF04