特許
J-GLOBAL ID：200903082619979607
窒化物半導体レーザダイオードとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-381604
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208756
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体の放熱性を向上させ、しきい値の上昇の抑制、寿命特性の向上を達成させることである。【構成】 基板上にn型層、活性層、p型層を積層し、エッチングによってリッジが形成されたp型窒化物半導体層を有し、同一面側に一対の正電極及び負電極を設けてなる窒化物半導体レーザダイオードにおいて、正電極及び負電極を有する面に正電極及び負電極を形成するのとは別に、前記正電極が形成されているリッジのサイドのp型窒化物半導体層を残存させ、放熱部を形成している窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
請求項（抜粋）：
基板上にn型窒化物半導体層、活性層、p型窒化物半導体層を積層し、エッチングによってリッジが形成されたp型窒化物半導体層を有し、同一面側に一対の正電極及び負電極を設けてなる窒化物半導体レーザダイオードの製造方法であって、エッチングにより、露出したのn型窒化物半導体層上に負電極、p型窒化物半導体層のリッジ上に正電極を設置し、前記リッジのサイドのp型窒化物半導体層をエッチングによって除去することなく残存させ、放熱部を形成することを特徴とする窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
Fターム (9件)：
5F073AA45
, 5F073AA61
, 5F073AA89
, 5F073AB16
, 5F073CA17
, 5F073CB23
, 5F073DA21
, 5F073EA23
, 5F073EA28
