特許
J-GLOBAL ID：200903082621316097
半導体装置の接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-012003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189635
出願日： 1988年04月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 TAB方式において、半導体装置のバンプ電極とテープキャリアのフィンガリードとの接合強度を十分とする。【解決手段】 電極パッド13上にアンダバンプ層15および金薄膜16aをスパッタにより形成した上、粘度が数百〜千数百CPSのフォトレジスト液を滴下してスピンコーティグすることにより、フォトレジスト膜19を厚さ20〜30μm程度に形成する。次に、フォトレジスト膜19の開口19a内に金の電解メッキによりバンプ電極16bを形成する。このバンプ電極16bの形成は、その上面がフォトレジスト膜19の上面よりも突出しないところで止め、その厚さを20〜30μm程度にする。この結果、バンプ電極16bが柱状となり、その上面がほぼ平坦となるので、このバンプ電極16bのほぼ平坦な上面にテープキャリアのフィンガリードを半田を介してボンディングのためにただ単に接触させても、十分な接触面積を得ることができ、したがって十分な接合強度を得ることができる。
請求項（抜粋）：
電極パッド上に該電極パッドを露出させる開口を有する絶縁膜を設け、該絶縁膜上および該絶縁膜の開口から露出された前記電極パッド上に中間接続膜および金薄膜を設け、該金薄膜上に粘度数百〜千数百CPSのフォトレジスト液を被着して前記金属膜の一部を露出させる開口を有する所定の厚さのフォトレジスト膜を設け、該フォトレジスト膜の開口から露出された前記金薄膜に金をメッキにより前記フォトレジスト膜の上面から突出しない厚さに設けてバンプ電極を形成し、前記フォトレジスト膜を取り除いた上、前記バンプ電極と他の電子部品の接続端子とを接合することを特徴とする半導体装置の接合方法。
FI (3件)：
H01L 21/92 604 S
, H01L 21/92 604 A
, H01L 21/92 604 B
