特許
J-GLOBAL ID:200903082632086700
面発光ダイオード
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-089183
公開番号(公開出願番号):特開平8-340132
出願日: 1996年04月11日
公開日(公表日): 1996年12月24日
要約:
【要約】【目的】 高い光出力が得られ、かつ高速化が可能な面発光レーザを提供する。【構成】 n形GaAs基板1にn形バッファ層2、n形(Al0.7 Ga0.3 )InAs0.5 Pクラッド層、活性層、n形(Al0.7 Ga0.3 )InAs0.5 Pクラッド層、電流拡散層6、p形GaAsキャップ層7を150nm以上の誘電体層8を蒸着したのち、発光面12の窓を形成しリフトオフ工程によりp形コンタクト電極(リング電極)を作製する。このときリング電極の直径を光ファイバのコアおよび開口数により最適化する。
請求項(抜粋):
第1導電型基板上に第1導電型バッファ層、第1導電型クラッド層、活性層、第2導電型クラッド層、第2導電型電流拡散層、第2導電型キャップ層を有する面発光ダイオードにおいて、前記第2導電型キャップ層上にリング電極が形成されていることを特徴とする面発光ダイオード。
FI (2件):
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 M
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開昭51-099989
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発光素子構造
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-180118
出願人:三菱電線工業株式会社
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特開平4-294591
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