特許
J-GLOBAL ID：200903082632381044

高抵抗率CZシリコンにおけるサーマルドナー生成の制御

発明者：
マーティン・ジェイ・ビンズ

マーティン・ジェイ・ビンズ について

, 
ロバート・ジェイ・ファルスター

ロバート・ジェイ・ファルスター について

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ジェフリー・エル・リバート

ジェフリー・エル・リバート について


出願人/特許権者：
エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド

エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 河宮 治 ,  鮫島 睦 ,  玄番 佐奈恵
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-581577
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537161
出願日： 2002年04月11日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
この発明は、チョクラルスキー法による単結晶シリコンウエハ及びその製造方法に関する。その単結晶シリコンウエハは少なくとも高抵抗率の表面層を有している。その表面層は、常套の半導体デバイス製造プロセスに付されると、抵抗率に影響を及ぼすのに十分な程度のサーマルドナーを生じることができないように格子間酸素含有を有している。この発明は、更に、そのようなウエハから導かれるシリコン・オン・インシュレータ構造にも関する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法によって成長させた単結晶シリコンインゴットからスライスされるウエハであって、 前方表面、後方表面、前記前方表面と前記後方表面との間においてほぼ等距離にある仮想的中央平面、前記前方表面と前記前方表面から中央平面へ向かって測定した距離D1の部分との間にあるウエハの領域を含む前方表面層、並びに、仮想的中央平面を含むが、前方表面層は含まないバルク層を有してなり、 不均一な濃度の結晶格子空孔を有しており、バルク層における空孔濃度は前方表面層における空孔濃度よりも高く、 (i)D1は少なくとも約5ミクロンであるが約30ミクロン以下であって、(ii)表面層は約50Ωcm以上の抵抗率を有しており、並びに、(iii)約700°Cを越える温度での酸素析出熱処理に付されて、表面層は約1×107cm-3以下の酸素析出物を有するが、バルク層は約1×107cm-3以上の酸素析出物を有するウエハ。
IPC (5件)：
H01L21/322 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12
FI (6件)：
H01L21/322 Y ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/324 X ,  H01L27/12 B ,  H01L27/12 E
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077FE03 ,  4G077FE12 ,  4G077FE13 ,  4G077GA01 ,  4G077HA12
引用特許：
審査官引用 (1件)

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