磁気抵抗トンネル接合素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177526
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012920
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】層状ペロブスカイト型マンガン酸化物を用いた高感度の磁気抵抗トンネル接合素子の提供する。【解決手段】化学式L<SB>2</SB>(A<SB>1-w</SB>R<SB>w</SB>)<SB>2</SB>A<SB>n-1</SB>Mn<SB>n</SB>O<SB>2n+4+x</SB>により表され、結晶構造内に(L-O)<SB>2</SB>層を有する層状ペロブスカイト型マンガン酸化物14を含む磁気抵抗トンネル接合素子を形成した。この酸化物は、結晶構造内の(L-O)<SB>2</SB>層を介して磁気抵抗トンネル効果が得られる磁気抵抗トンネル接合素子となる。ここで、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも一種の元素であり、LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも一種の元素であり、Rは希土類元素であり、nは1以上の整数であり、wは0≦w<1の数値であり、xは0≦x≦1の数値である。

請求項（抜粋）：

化学式L<SB>2</SB>(A<SB>1-w</SB>R<SB>w</SB>)<SB>2</SB>A<SB>n-1</SB>Mn<SB>n</SB>O<SB>2n+4+x</SB>により表され、結晶構造内に(L-O)<SB>2</SB>層を有する層状ペロブスカイト型マンガン酸化物を含み、前記(L-O)<SB>2</SB>層を介して磁気抵抗トンネル効果が得られることを特徴とする磁気抵抗トンネル接合素子。ここで、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも一種の元素であり、LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも一種の元素であり、Rは希土類元素であり、nは1以上の整数であり、wは0≦w<1の数値であり、xは0≦x≦1の数値である。

IPC (4件)：

H01L 43/08 , H01F 10/30 , H01L 39/22 ZAA , H01L 43/10

FI (4件)：

H01L 43/08 Z , H01F 10/30 , H01L 39/22 ZAA D , H01L 43/10

Fターム (17件)：

4M113AA01 , 4M113AA25 , 4M113AC46 , 4M113AD35 , 4M113AD36 , 4M113AD37 , 4M113BA04 , 4M113BA29 , 4M113BC04 , 5E049AB09 , 5E049AB10 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049DB04 , 5E049DB14

前のページに戻る