特許

J-GLOBAL ID：200903082637292058

珪酸塩高誘電率材料の真空蒸着

発明者： グレン ディ、ウィルク
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375450
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208508
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 標準的ゲート構造体処理方法を用いて比較的容易に処理することができ、二酸化珪素の誘電率よりも大きな誘電率を有する新しい材料を提供する。【解決手段】 半導体基体上に電子素子を製造する方法において、前記半導体基体上に伝導性構造体を形成し(図1の工程106)、前記伝導性構造体と前記半導体基体との間に高誘電率材料の層を形成し(図1の工程102)、前記高誘電率材料層を、ガス状珪素源と、Hf、Zr、La、Y、Sc、Ce及びそれらの組合せからなる群から選択された材料からなる第二ガス状材料とを供給することにより形成する、諸工程を含む、上記製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に電子素子を製造する方法において、前記半導体基体上に伝導性構造体を形成し、そして前記伝導性構造体と前記半導体基体との間に高誘電率材料の層を形成し、然も、前記高誘電率材料層を、ガス状珪素源と、Hf、Zr、La、Y、Sc、Ce及びそれらの組合せからなる群から選択された材料からなる第二ガス状材料とを供給することにより形成する、諸工程からなる上記方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/76 N ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G