特許

J-GLOBAL ID：200903082637757107

超伝導体装置

発明者： 杉浦 禎彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-187747
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037513
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】周囲温度が臨界温度以上に上昇しても致命的な特性劣化に判らない超伝導体装置を提供する。【構成】線路導体を超伝導体薄膜4,高耐熱性金属薄膜5,高導電率金属薄膜6の3層構造を有する薄膜導体系により構成し、周囲温度が上昇して超伝導体薄膜4が絶縁物になっても高導電率金属薄膜6の働きで若干の特性劣化にとどめる。

請求項（抜粋）：

誘電体基板上に超伝導体、高耐熱性金属および高導電率金属を順次重ねた3層構造を有する薄膜導体で回路パターンを形成したことを特徴とする超伝導体装置。

IPC (2件)：

H01P 3/08 ZAA ,  H01P 1/203 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-149916
  
• 特開平4-097902
  
• 特開平1-105412