特許

J-GLOBAL ID：200903082640186609

半導体製造装置及びロードロック室酸素濃度の制御方法及び自然酸化膜の生成方法

発明者： 島田 真一
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118271
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045597
出願日： 1996年04月16日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：

【要約】【課題】ロードロック室内のガス混合濃度を所望の値に維持することを目的とする。【解決手段】シリコンウェーハを熱処理する空間を画成する反応管と、該反応管の周囲に配置された加熱手段と、前記反応管にゲートバルブを介し連接するロードロック室5と、該ロードロック室に連通された不活性ガス及び酸素を含む気体を供給する供給管19と、酸素濃度計25と不活性ガス流量調節器13と、酸素ガス流量調整器22とを有し、酸素濃度計の検出結果を基に流量計により不活性ガス及び酸素を含む気体の流量を制御し、ロードロック室内の酸素濃度を所望の値に維持する。

請求項（抜粋）：

シリコンウェーハを熱処理する空間を画成する反応管と、該反応管の周囲に配置された加熱手段と、前記反応管にゲートバルブを介し連接するロードロック室と、該ロードロック室に不活性ガス及び酸素を含む気体を供給する供給管と、前記ロードロック室に連通された少なくとも1系統の排気管とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  C23C 14/56 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501

FI (4件)：

H01L 21/02 Z ,  C23C 14/56 G ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 D