特許
J-GLOBAL ID：200903082641437885
薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217601
公開番号（公開出願番号）：特開平5-140751
出願日： 1991年08月28日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 基板に対する膜付着力を向上できる薄膜形成装置を提供する。【構成】 薄膜形成装置は、プラズマを発生させるプラズマ室1と、基板に成膜処理を行われる反応室6と、珪素を含むガスと炭化水素系ガスとを反応室6に導入するとともに、基板7上に炭化珪素膜が形成されるように両ガスの各流量を制御するマスフローコントローラとを備えている。
請求項（抜粋）：
マイクロ波の導入により電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを発生させるプラズマ室と、基板が保持されるとともに、前記プラズマ室に発生したプラズマが導入されることにより前記基板に成膜処理が行われる反応室と、珪素を含むガスと炭化水素系ガスとを前記反応室に導入するとともに、前記基板上に炭化珪素膜が形成されるように前記両ガスの各流量を制御するガス導入制御手段と、を備えた薄膜形成装置。
IPC (4件)：
C23C 16/50
, C30B 25/14
, H01L 21/31
, C23C 14/35
