特許
J-GLOBAL ID：200903082644528296
電界効果トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219994
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069248
出願日： 1992年08月19日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、高性能が得られる化合物半導体電解効果トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。【構成】 本発明の化合物半導体電界効果トランジスタは、半絶縁性基板1、ノンドープ半導体バッファ層2、ノンドープ半導体チャンネル層3、ノンドープ半導体スペーサ層4、高不純物濃度n型半導体電子供給層5、ノンドープ半導体コンタクト層6、高不純物濃度n型半導体コンタクト層7、並びに制御電極8及び出力電極9、10より構成され、ノンドープチャンネル層3はノンドープスペーサ層4側がIn組成が高くなるように形成され、しかもチャンネル層とスペーサ層との界面の組成の遷移領域が3nm以下である。【効果】 本発明による化合物半導体電界効果トランジスタの製造方法では、InGaAs層のIn組成を上方のスペーサ層側で高く出来、界面も急峻化が可能となり、従来素子に比べ良好なトランジスタ特性が得られるようになった。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板上に、不純物を含有しない第一の半導体層よりなるバッファ層を形成し、該バッファ層上に不純物を含有しない第二の半導体層よりなるチャンネル層を形成し、該チャンネル層上に第三の半導体層よりなるスペーサ層を形成し、該スペーサ層上にN型不純物を含有する第三の半導体層よりなる電子供給層を形成し、該電子供給層上に第四の半導体層よりなるコンタクト層を形成し、該コンタクト層の上にショットキ型若しくは絶縁ゲート型の制御電極を設け、該制御電極を挟んで抵抗接続された複数の出力電極を設けてなる電界効果トランジスタの製造方法に於いて、前記チャンネル層を構成する第二の半導体層を基板温度が、550°Cから650°Cの間で制御し、またV族砒素とIII族ガリウム及びインジウムとのビームフラックス比が2.5以上となるように制御しながら形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/203
