特許

J-GLOBAL ID：200903082653124440

放射線撮像装置、蛍光体構造物とその製造方法

発明者： 田代 和昭 ,  浜本 修 ,  海部 紀之 ,  梶原 賢治 ,  結城 修
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-225545
公開番号（公開出願番号）：特開2002-040143
出願日： 2000年07月26日
公開日（公表日）： 2002年02月06日
要約：

【要約】【課題】 高いアスペクト比の蛍光体分割部材を有し、低コストでありながら高感度と高解像度を共に満足する放射線撮像装置を提供する。【解決手段】 101は撮像素子、102は光電変換部、103は画素、104は蛍光体構造物と撮像素子の接着層、105はシリコンの針状結晶体、106は針状結晶体の間に充填された蛍光体、107は針状結晶体を成長させたシリコン基板、108は周辺回路等の実装領域である。(111)面のシリコン基板107上に金Auを成膜して配列ピッチ40μm、直径15μmのドットパターン202を形成する。そして、シランガスSiH<SB>4 </SB>、四塩化ケイ素ガスSiCl<SB>4 </SB>の飽和した水素ガスH<SB>2 </SB>中で基板107を加熱すると、過飽和状態のシリコンはシリコン基板の<111>軸方向に沿って、下地シリコン結晶上に針状結晶体105として析出する。

請求項（抜粋）：

第1、第2の基板を有し、前記第1の基板表面に対して角度θ(0<θ≦90°)をなす方向に沿って、前記第1の基板上に前記第1の基板の組成物を有する針状結晶体を成長させ、前記針状結晶体の隙間に蛍光体を充填させ、前記第2の基板は複数の画素を有し、前記画素と前記蛍光体を相対するように配置することを特徴とする放射線撮像装置。

IPC (5件)：

G01T 1/20 ,  C30B 29/62 ,  G01T 1/29 ,  H01J 9/22 ,  H04N 5/321

FI (7件)：

G01T 1/20 B ,  G01T 1/20 D ,  G01T 1/20 K ,  C30B 29/62 M ,  G01T 1/29 C ,  H01J 9/22 T ,  H04N 5/321

Fターム (24件)：

2G088EE01 ,  2G088EE27 ,  2G088FF02 ,  2G088FF14 ,  2G088GG13 ,  2G088GG14 ,  2G088GG16 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ23 ,  2G088JJ37 ,  2G088LL12 ,  2G088LL13 ,  4G077AA04 ,  4G077BA04 ,  4G077CC06 ,  4G077ED06 ,  5C024AX12 ,  5C024GX09 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C028FF06 ,  5C028FF11