特許
J-GLOBAL ID：200903082656107199
半導体多層膜反射鏡
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-181833
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003343
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【構成】 n-AlAs半導体およびn-GaAs半導体を交互に積層した半導体多層膜反射鏡において、それ等のn-AlAs半導体およびn-GaAs半導体の厚さをTA ,TG 、屈折率をnA ,nG 、反射すべき光の中心波長をλB とした時、光学的厚さ(nA TA +nG TG )をλB /2に保持しつつ、光学的厚さnG TG をλB /4より小さくするとともに、その分だけ光学的厚さnA TAをλB /4より大きくした。【効果】 nG TG =λB /4の(a)に比較して、nG TG =(λB /4)×(3/4)の(b),nG TG =(λB /4)×(1/2)の(c),nG TG =(λB /4)×(1/3)の(d)では、中心波長λB (=880nm)よりも短波長側の波長域Qにおける反射率が向上している。
請求項（抜粋）：
バンドギャップが異なる第1半導体および第2半導体が重ね合わされた単位半導体層が繰り返し積層されて、入射した光を光波干渉によって反射する半導体多層膜反射鏡において、前記第1半導体の屈折率をn<SB>1 </SB>、膜厚をT<SB>1 </SB>とし、第2半導体の屈折率をn<SB>2 </SB>、膜厚をT<SB>2 </SB>とした時、前記単位半導体層の光学的厚さ(n<SB>1 </SB>T<SB>1</SB>+n<SB>2 </SB>T<SB>2 </SB>)は、反射すべき光の中心波長λ<SB>B </SB>に対して次式(1)の関係を有し、n<SB>1 </SB>T<SB>1 </SB>+n<SB>2 </SB>T<SB>2 </SB>=λ<SB>B </SB>/2 ・・・(1)且つ、該第1半導体および第2半導体のうちバンドギャップが小さい第1半導体の光学的厚さn<SB>1 </SB>T<SB>1 </SB>は、前記波長λ<SB>B </SB>に対して次式(2)を満足するn<SB>1 </SB>T<SB>1 </SB><λ<SB>B </SB>/4 ・・・(2)ことを特徴とする半導体多層膜反射鏡。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01S 3/18
