特許
J-GLOBAL ID：200903082658900228
半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-068723
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283134
出願日： 1994年04月06日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 触媒元素の極微量で、かつ均一量の注入制御を可能とする。【構成】 非結晶性半導体膜の表面に、結晶化を助長する触媒元素を含有する溶液を複数回のスピンコート法により微量添加し、基板全体を加熱処理することにより、非結晶性半導体膜の多結晶化を行う。このように、スピンコート処理回数を複数回すれば、基板面内の触媒元素注入量のバラツキは小さくなり均一な注入になる。触媒元素としてNiを用い、スピンコート法により添加する溶液中のNi濃度は100ppmとし、加熱処理は550°C、加熱時間16時間の条件で行う。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する基板または、絶縁膜で表面を覆った基板上に非晶質半導体膜を堆積させる工程と、該非晶質半導体膜の表面に、結晶化を助長する触媒元素を含有する溶液を複数回のスピンコート法により添加する工程と、該非晶質半導体膜を加熱処理により多結晶化させる工程とを有する半導体基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
