特許

J-GLOBAL ID：200903082662521304

多層炭素ナノチューブフィルム

発明者： ダイ、ライミン ,  ファン、シャオミン
出願人/特許権者： コモンウエルス サイエンティフィック アンド インダストリアル リサーチ オーガナイゼーション
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-612216
公開番号（公開出願番号）：特表2002-542136
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2002年12月10日
要約：

【要約】本発明は、(a) ナノチューブの形成に適する触媒の存在下にて炭素含有材料の熱分解によって石英ガラス基材上に整列した炭素ナノチューブの層を合成し、(b) ナノチューブ/基材界面で石英ガラス基材をエッチングして、基材から上記の整列したナノチューブの層を解放することを含んでなる、基材不含の整列したナノチューブフィルムの製造法に関する。本発明のもう一つの態様では、基材不含炭素ナノチューブフィルムを別のナノチューブフィルムに付着させることを含んでなる多層の炭素ナノチューブフィルムの製造法が提供される。更にもう一つの本発明の態様では、1以上の炭素ナノチューブ層を金属、半導体およびポリマーのような他の材料の層と共に含む「ヘテロ構造」の多層炭素ナノチューブフィルムの製造法が提供される。

請求項（抜粋）：

(a) ナノチューブの形成に適する触媒の存在下にて炭素含有材料の熱分解によって石英ガラス基材上に整列した炭素ナノチューブの層を合成し、 (b) ナノチューブ/基材界面で石英ガラス基材をエッチングして、基材から上記の整列したナノチューブの層を解放することを含んでなる、基材不含の整列したナノチューブフィルムの製造法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127

FI (2件)：

C01B 31/02 101 F ,  D01F 9/127

Fターム (12件)：

4G046CA00 ,  4G046CB03 ,  4G046CC01 ,  4G046CC02 ,  4G046CC06 ,  4G046CC08 ,  4G046CC09 ,  4L037CS04 ,  4L037FA05 ,  4L037PA06 ,  4L037UA04 ,  4L037UA15