特許
J-GLOBAL ID:200903082671184973
半導体パッケージ基台および半導体パッケージ
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳田 征史 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-128640
公開番号(公開出願番号):特開2002-324875
出願日: 2001年04月26日
公開日(公表日): 2002年11月08日
要約:
【要約】【課題】 実装精度の向上とコスト低減及び、モジュール設計の自由度がある半導体パッケージ基台および半導体パッケージを得る。【解決手段】 パッケージ基台3として、Au/Niメッキ処理等方性高密度炭素繊維を厚さ3mmの平板に加工し、表面の一部に0.1mmの段差8が形成され、ワイヤーもしくはスライスで2mm×4mm長方形部材にスライスされたものを用いる。このパッケージ基台3の段差8の下側面に絶縁層6をAuGe系半田層7を介して接着し、該絶縁層6上に電極層5を設けて電極配線用ターミナルを形成する。段差8の上側面にはAuSn系半田層2を介して半導体発光素子1をマウントし、この半導体発光素子1の電極を電極配線用ターミナルとAuワイヤーにより接続する。
請求項(抜粋):
半導体素子をマウントする半導体パッケージ基台であって、炭素複合材料からなり、前記半導体素子をマウントする面に、電極配線用のターミナルを含む前記半導体素子以外の部材もマウントされるものであることを特徴とする半導体パッケージ基台。
IPC (6件):
H01L 23/15
, G02B 6/42
, H01L 23/12
, H01L 23/14
, H01L 33/00
, H01S 5/022
FI (6件):
G02B 6/42
, H01L 33/00 N
, H01S 5/022
, H01L 23/14 C
, H01L 23/12 J
, H01L 23/14 R
Fターム (17件):
2H037AA01
, 2H037BA02
, 2H037BA11
, 2H037BA21
, 2H037CA34
, 2H037DA03
, 2H037DA04
, 2H037DA06
, 5F041AA37
, 5F041DA03
, 5F041DA07
, 5F041DA32
, 5F041EE02
, 5F073FA15
, 5F073FA22
, 5F073FA23
, 5F073FA27
引用特許: