特許
J-GLOBAL ID：200903082673936808
平面型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133137
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329859
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 1000Åから100Åに到るチャネル長を有し、寄生容量が極限まで小さい、超高速の平面型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 1000Å以下のチャネル長を有するチャネル層4と、ソース層5と、ドレイン層3とが基板1の主表面4と平行に配列されており、チャネル層4の直上にチャネル長幅Lの絶縁ゲートを備える平面型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタであり、分子層エピタキシャル法を用いてチャネル層を精密に形成し、活性酸素を用いた低温CVDでゲート酸化膜を形成し、異方性エッチングにより絶縁ゲートを形成する。
請求項（抜粋）：
1000Å以下のチャネル長を有するチャネル層と、ソース層と、ドレイン層とが基板の主表面と平行に配列されており、上記チャネル層直上にチャネル長幅の絶縁ゲートを備えることを特徴とする、平面型短チャネル絶縁ゲート静電誘導トランジスタ。
Fターム (25件)：
5F140AA01
, 5F140AA05
, 5F140AA21
, 5F140AA40
, 5F140AC04
, 5F140AC12
, 5F140BA01
, 5F140BA20
, 5F140BB13
, 5F140BC13
, 5F140BC19
, 5F140BD06
, 5F140BE10
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140BF42
, 5F140BF44
, 5F140BG28
, 5F140BG38
, 5F140BH21
, 5F140BH30
, 5F140BH34
, 5F140BH49
, 5F140BK18
, 5F140CE20
