特許

J-GLOBAL ID：200903082676165870

光電変換素子

発明者： 大塚 正男 ,  内田 孝幸 ,  菅原 將
出願人/特許権者： 大塚 正男
代理人 (1件)： 大井 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-134508
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321331
出願日： 1996年05月29日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 (1)従来公知のものよりも光応答速度が高い光電変換素子を提供すること。(2)光感度特性に優れた光電変換素子を提供すること。(3)明暗電流比の高い光電変換素子を提供すること。(4)駆動電圧が低い場合であっても十分に高い光電流を得ることができる光電変換素子を提供すること。(5)イメージセンサーに使用される画像読み取り素子として好適な光電変換素子を提供すること。【解決手段】 本発明の光電変換素子は、チタニルフタロシアニンのY型結晶物質を光導電性物質として含有していることを特徴とする。本発明の光電変換素子は、透明電極(1)と対向電極(2)との間に、チタニルフタロシアニンのY型結晶物質を含有する光導電層(3)が介在されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

チタニルフタロシアニンのY型結晶物質を光導電性物質として含有していることを特徴とする光電変換素子。

IPC (4件)：

H01L 31/08 ,  C07D487/22 ,  H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 31/08 Q ,  C07D487/22 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 C