特許
J-GLOBAL ID：200903082677188237
半導体素子およびその検定方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大関 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024562
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235575
出願日： 1994年02月22日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 現在の半導体素子において、金細線と導体配線の接合部での信頼性の低下を検出する。【構成】 一つの半導体基板1上に導体回路配線と、その回路とは独立に、信頼性評価用の導体配線Aにより構成されることを特徴とする半導体素子。その信頼性評価用の導体配線を外部リードに金細線あるいは金バンプにより接続し、その端子間の電気特性を測定することにより、金細線と導体回路配線との接合部の信頼性をチェックすることを特徴とする半導体素子の検定方法。【効果】 通常の半導体動作に加えて、金/アルミニウム接合部における信頼性低下を早期診断することにより、高温使用時の不良を回避することができる。
請求項（抜粋）：
一つの半導体基板上に導体回路配線と、その回路とは独立に、信頼性評価用の導体配線とが形成されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 21/66
, H01L 21/60 321
