特許

J-GLOBAL ID：200903082677307490

未反応昇華性ガストラップ装置およびその洗浄方法

発明者： 細川 徳孝
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282139
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114185
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造過程で排出される排ガス中の未反応ガスを圧損少なく高効率に除去でき、かつ、メンテナンス性に優れた未反応昇華性ガストラップ装置およびその洗浄方法を得る。【解決手段】 筒状ケース1内において、スリット状の貫通穴4bが形成された円盤状トラップ板4(1)〜4(3)を、その隣合う円盤状トラップ板4間で貫通穴4bの軸方向相対位置が相互にずれるように回転軸5に嵌着し、回転軸5を介して強制冷却すると共にごく低速で回転させ、給気口3aから流入する排ガスGを円盤状トラップ板4(1)〜4(3)に衝突させて冷却し、盤面上に、排ガスG中の未反応ガスを効果的に析出し、堆積させて除去する。なお、バルブ切換により、筒状ケース1内に洗浄液を供給し、乾燥空気で乾燥することにより、筒状ケース1を分解不要に洗浄する。

請求項（抜粋）：

一端に給気口を、他端に排気口を有するケースと、該ケース内に配設され、前記給気口より流入する未反応昇華性ガスと接触する回転式トラップ体と、該回転式トラップ体を回転駆動する駆動手段と、前記回転式トラップ体を冷却する冷却手段とを備えたことを特徴とする未反応昇華性ガストラップ装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  B01D 8/00 ,  B01D 53/34 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/3065

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  B01D 8/00 Z ,  C23G 5/00 ,  B01D 53/34 Z ,  H01L 21/302 B

Fターム (46件)：

4D002AA00 ,  4D002AA18 ,  4D002AC10 ,  4D002BA13 ,  4D002BA20 ,  4D002CA05 ,  4D002DA35 ,  4D002EA09 ,  4D002EA13 ,  4D002FA01 ,  4D002GA02 ,  4D002GA03 ,  4D002GB20 ,  4D076AA06 ,  4D076AA07 ,  4D076BD07 ,  4D076BE08 ,  4D076CA16 ,  4D076CD06 ,  4D076CD12 ,  4D076CD22 ,  4D076CD42 ,  4D076EA24X ,  4D076EA24Y ,  4D076FA04 ,  4D076HA10 ,  4D076HA12 ,  4D076JA03 ,  4D076JA06 ,  4K053QA07 ,  4K053SA07 ,  4K053XA08 ,  4K053XA15 ,  4K053XA16 ,  4K053XA21 ,  4K053XA26 ,  4K053YA10 ,  4K053YA28 ,  5F004AA15 ,  5F004FA08 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045EF20 ,  5F045EG02 ,  5F045EG08 ,  5F045HA14