特許

J-GLOBAL ID：200903082689808869

SRO導電性薄膜形成用組成物及びSRO導電性薄膜の形成方法

発明者： 曽山 信幸 ,  土木田 芳彦
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-158120
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348549
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】 長期保存安定性に優れたSRO導電性薄膜形成用組成物と、このSRO導電性薄膜形成用組成物を用いたSRO導電性薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 Sr及びRuの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び/又は有機酸塩を含むペロブスカイト型SRO導電性薄膜形成用組成物において、粒径0.5μm以上のパーティクルが50個/mL以下であるSRO導電性薄膜形成用組成物。このSRO導電性薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し、空気中、酸化雰囲気中又は含水蒸気雰囲気中で加熱する工程を所望の厚さの膜が得られるまで繰り返し、少なくとも最終工程における加熱中或いは加熱後に膜を結晶化温度以上で焼成するSRO導電性薄膜の形成方法。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型SRO導電性薄膜を形成するための有機金属化合物溶液よりなるSRO導電性薄膜形成用組成物において、粒径0.5μm以上のパーティクルの存在量が50個/mL以下であることを特徴とするSRO導電性薄膜形成用組成物。

IPC (3件)：

H01B 13/00 503 ,  B05D 3/02 ,  C01G 55/00

FI (3件)：

H01B 13/00 503 C ,  B05D 3/02 Z ,  C01G 55/00

Fターム (15件)：

4D075BB21Z ,  4D075BB28Z ,  4D075BB56Z ,  4D075CA22 ,  4D075DA06 ,  4D075DC21 ,  4D075EC08 ,  4D075EC24 ,  4G048AA01 ,  4G048AA05 ,  4G048AB05 ,  4G048AC04 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05