特許
J-GLOBAL ID：200903082690788154
不揮発性半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 保男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077804
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282887
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、破壊モードの欠陥が発生しても、的確に欠陥ページを含むブロックのアドレス記憶及び代替処理を行なって高信頼性を保持することを目的とする。【構成】 複数個のページから構成されるブロックに分割されたメモリセルアレイを備えたメモリ手段1と、欠陥の生じたページを検出する検出手段と、検出された欠陥ページを含むブロックのアドレスを記憶する記憶手段と、欠陥ページを含むブロックを他のブロックに代替処理する処理手段とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数個のページから構成されるブロックに分割されたメモリセルアレイを備え、不揮発性メモリ機能を有するメモリ手段と、欠陥の生じた前記ページを検出する検出手段と、該検出手段で検出された欠陥ページを含むブロックのアドレスを記憶する記憶手段と、前記欠陥ページを含むブロックを他のブロックに代替処理する処理手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。
IPC (2件)：
G11C 16/06
, G11C 29/00 301
