特許
J-GLOBAL ID：200903082691409203

低温での金属酸化物膜の製造方法

発明者：
ヤルモ スカープ

ヤルモ スカープ について

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メルヴィ リンエルモ

メルヴィ リンエルモ について

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ティモ アシカイネン

ティモ アシカイネン について


出願人/特許権者：
エイエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー.

エイエスエム インターナショナル エヌ.ヴェー. について


代理人 (11件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  小林 恒夫 ,  齋藤 正巳 ,  木村 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-333575
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165537
出願日： 2005年11月18日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】低温で金属酸化物膜を製造する方法の提供。【解決手段】ALD法によって基板上に金属酸化物薄膜を製造する方法は、成長基板に約1つを超えない気体金属化合物の単分子層を結合させる工程と、結合した金属化合物を金属酸化物に変換する工程とを含む。結合した金属化合物は、水以外の反応性酸素源蒸気と接触することによって金属酸化物に変換され、基板は成長工程の間190°C未満の温度に保たれる。本発明によって、良好な品質の膜を低温で製造することが可能である。高密度構造を有する誘電体薄膜は高温に耐性のない表面をパッシベーションするのに使用することができる。それらの表面は、例えば、集積回路中の有機膜、および有機エレクトロルミネッセンス・ディスプレイや有機太陽電池などにおけるポリマー膜を含む。さらに、水を含まない酸素源を使用するとき、水に感受性のある表面がパッシベーションされる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
複数のサイクルを含む反応室中で、基板上に金属酸化物の薄膜を堆積する原子層堆積(ALD)方法であって、各サイクルが、 金属化合物を含む気体第1反応物を供給する工程であって、約1つを超えない金属化合物の単分子層を基板上に化学吸着させる工程と、 水以外の酸素源を含む気体第2反応物を供給する工程であって、前記第2反応物が、前記第1反応物の前記基板上に吸着された部分を金属酸化物に変換する工程とを含み、 前記基板が190°C未満の温度に維持される方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H05B 33/04 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10
FI (5件)：
H01L21/316 X ,  C23C16/40 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10
Fターム (31件)：
3K007AB12 ,  3K007BB01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EC00 ,  3K007EC02 ,  3K007EC03 ,  3K007EC04 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第6,124,158号
  • 米国特許第6,015,590号
審査官引用 (3件)

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