特許

J-GLOBAL ID：200903082694398474

プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 栗部 栄史
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-000970
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196310
出願日： 2000年01月06日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 成膜中でのプラズマ状態の強弱を緩和したり、放電の集中を抑制して被処理基板表面に膜厚および膜質が均一な薄膜を成膜することが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置され、その対向面に複数のガス吹き出し孔を有する中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源と、前記第1、第2の電極のいずれか一方および両者をXY方向およびZ方向の少なくとも一方の方向に揺動するための揺動機構とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持する第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置され、その対向面に複数のガス吹き出し孔を有する中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記第2電極に電力を印加するための電源と、前記第1、第2の電極のいずれか一方および両者をXY方向およびZ方向の少なくとも一方の方向に揺動するための揺動機構とを具備したことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46 M

Fターム (32件)：

4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA06 ,  4K030CA07 ,  4K030EA06 ,  4K030FA03 ,  4K030KA14 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF07 ,  5F045AF10 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA65 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH13