特許

J-GLOBAL ID：200903082694724436

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 三村 隆 ,  池上 富雄
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-048471
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249093
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置のメモリセルにおける、多くの書込み/消去回数によって発生する欠陥セルを回避することにおいて、データのアクセス時間を短縮し、制御およびハードウェア構成が簡単である不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】前記メモリセル内の各セクタは冗長領域を含み、前記セクタ内の連続するデータはアドレスに順序つけられており、前記アドレスを指定することによりアクセス可能な不揮発性半導体記憶装置において、前記セクタ内で欠陥セルが発生した場合に、代替として前記冗長領域を使うように、前記アドレスを発生するアドレス発生手段を有する。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを有し、前記メモリセルは複数のセクタに分割され、前記セクタは冗長領域を含み、前記セクタ内の連続するデータはアドレスに順序づけられたものである不揮発性半導体記憶装置であって、前記セクタ内で欠陥セルが発生した場合に、前記欠陥セルの代替セルとして前記冗長領域を使用可能とするアドレスを発生するアドレス発生手段を更に有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 603 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 29/00 603 K ,  G11C 17/00 639 B ,  G11C 17/00 601 A

Fターム (11件)：

5B025AA01 ,  5B025AD13 ,  5B025AE05 ,  5L106AA10 ,  5L106CC05 ,  5L106CC13 ,  5L106CC16 ,  5L106CC21 ,  5L106CC32 ,  5L106FF05 ,  5L106GG05