特許
J-GLOBAL ID:200903082694896490
化合物半導体材料のエッチング方法および化合物半導体装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高橋 明夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-055313
公開番号(公開出願番号):特開2000-252265
出願日: 1999年03月03日
公開日(公表日): 2000年09月14日
要約:
【要約】【課題】 本願発明は、高揮発性成分と低揮発性成分を有する化合物半導体材料を低損失に加工を行なう方法を提供するものである。【解決手段】 本願発明は、エッチング励起用イオンとしてエッチングを行う化合物半導体の構成元素のイオンと、ハロゲンあるいはハロゲン元素を有する化合物等のラジカル等化学的活性種を合わせ用いる。
請求項(抜粋):
化合物半導体材料を加工容器内に準備し、当該化合物半導体材料の構成元素の少なくとも一者のイオンを当該化合物半導体材料の加工面に衝突せしめ、且つハロゲン元素および当該化合物半導体材料の構成元素とハロゲン元素とを少なくとも有する化合物の活性種の少なくとも一者を当該化合物半導体材料の加工面に対して流入せしめることを特徴とする化合物半導体材料のエッチング方法。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
FI (3件):
H01L 21/302 F
, H01L 29/205
, H01L 29/72
Fターム (19件):
5F003BM03
, 5F003BP12
, 5F003BP32
, 5F004AA06
, 5F004BA13
, 5F004BA14
, 5F004BA16
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB14
, 5F004BB18
, 5F004CA06
, 5F004DA04
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DB00
, 5F004DB19
, 5F004DB22
引用特許:
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