特許

J-GLOBAL ID：200903082702116297

半導体装置およびその製造方法

発明者： 大谷 智彦 ,  森川 茂
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162970
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008438
出願日： 1994年06月22日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 透明基板と単結晶半導体層との一体化ができ、この単結晶半導体層を活性層として使用した電気移動度の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 単結晶シリコン層8とガラス基板2との間に不純物拡散防止用絶縁層4を介在させたので、ガラス基板2と単結晶シリコン層8とを一体化しても、ガラス基板2に含まれている不純物が単結晶シリコン層8に拡散されるのを防ぐことができ、かつこの単結晶シリコン層8を薄膜トランジスタの活性層として用いたので、電気移動度の高いものを得ることができる。また、ガラス基板2の主成分が酸化シリコンであることに着目し、不純物拡散防止用絶縁層4上にガラス基板2と融合する酸化シリコンからなる接合用絶縁膜5を形成したので、この接合用絶縁膜5とガラス基板2とを融合させて接合でき、これにより今まで不可能であったガラス基板2と単結晶シリコン基板1との一体化を可能にした。

請求項（抜粋）：

透明基板と、この透明基板に直接または絶縁膜を介して形成され、前記透明基板に含まれる不純物の拡散を防止するための不純物拡散防止用絶縁層と、この不純物拡散防止用絶縁層に形成された単結晶半導体層を活性層とする能動素子とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 Y