特許
J-GLOBAL ID：200903082709107315
半導体光集積素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-013328
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221390
出願日： 1994年02月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】選択成長による異種半導体光導波路の一括形成法を用いる場合、異種光導波路間において、成長速度変化率を所望の値に維持しつつ、基板に対する格子定数の歪量変化率を抑制すること、量子井戸の障壁層の基板面と平行な面方位での膜厚変化率を低減すること。【構成】半導体基板1上に形成する絶縁膜マスク2間の目空き幅を10μmないし30μmとし、光軸と鉛直方向の断面において、InGaAsPバッファ層3の(111)B面の長さを(100)面の長さの約1/8以上にし、又、量子井戸層4のInGaAsP障壁層7の成長速度が(111)B面上と(100)面上でほぼ等しくなるように成長条件を制御する。
請求項（抜粋）：
同一の結晶成長工程において形成されたにもかかわらず、同一基板面内で成長層厚、又は組成、若しくはその両者が異なる半導体多層膜から形成され、上記半導体多層膜間の結合部で成長層厚、又は組成、若しくはその両者が単調に変化する半導体多層膜からなる異種光導波路集積構造が、異なる光導波路を少なくとも二つは含み、前記半導体多層膜中の全ての単層膜の格子定数の歪率が-0.2%ないし+0.1%であることを特徴とする半導体光集積素子。
引用特許：
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