特許

J-GLOBAL ID：200903082712705479

面発光素子の製造方法

発明者： 杉本 満則
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298052
公開番号（公開出願番号）：特開平5-110202
出願日： 1991年10月17日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 表面再結合による無効電流を低減し、低閾値電流で面発光レーザ発振可能な面発光素子を実現する。【構成】 図1(a)の結晶成長後、メサ円柱7を図1(b)の如くに形成する。次にSi膜からなる拡散マスク8を真空蒸着によってメサ円柱7の頂部と底部のみに形成する。この拡散マスク8を用いると、メサ円柱7の側壁にのみZn拡散領域13を形成する事が出来る。このZn拡散によって量子井戸活性層を無秩序化して禁制帯幅を大きくする事が出来る。このため活性層構造3の横方向に等価的なヘテロ構造が形成されて、メサ円柱7の側壁での表面再結合が低減される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1導電型の第1半導体多層反射膜を形成する工程と、この第1半導体多層反射膜上に少なくとも1つ以上の量子井戸活性層を含む活性層構造を形成する工程と、この活性層構造の上に第2導電型の第2半導体多層反射膜を形成する工程と、この第2半導体多層反射膜上にマスクを形成する工程と、このマスクを用いて前記第1半導体多層反射膜の上部に達するまで選択エッチングを行なう事により側壁が垂直又はアンダーカット形状の半導体柱を形成する工程と、この半導柱の頂部および底部のみに拡散マスクを形成する工程と、この拡散マスクを用いて前記半導体柱の側面だけに不純物の選択拡散を行なう工程とを含む事を特徴とする面発光素子の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-079280
  
• 特開昭63-051686
  
• 特開昭60-202979