特許

J-GLOBAL ID：200903082716884742

超微粒子膜の形成方法

発明者： 石倉 淳理
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 哲也 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062537
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256832
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 基板上に超微粒子膜を形成する際に、基板温度を高温に上げることなく超微粒子の粒径を拡大させる。【解決手段】 基板上に超微粒子からなる膜を形成する方法において、超微粒子が基板に到達する前に超微粒子に光を照射する。超微粒子は、生成室においてアークを用いて生成し、キャリアガスにより膜形成室に移送され、ノズルより噴出される。ガス噴出方向に対し垂直に光、一般にはレーザ光を照射することにより超微粒子膜が形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に超微粒子からなる膜を形成する方法において、超微粒子が前記基板に到達する前に超微粒子に光を照射することを特徴とする超微粒子膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 14/24 ,  H01B 13/00 503

FI (2件)：

C23C 14/24 F ,  H01B 13/00 503 Z

Fターム (10件)：

4K029AA09 ,  4K029BA02 ,  4K029BA21 ,  4K029BB03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA00 ,  4K029CA01 ,  4K029DA05 ,  5G323BA01 ,  5G323BB04