特許
J-GLOBAL ID：200903082720907684
化合物半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-142842
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335258
出願日： 1992年06月03日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 リンを含む化合物半導体装置において、1回の結晶成長によってキャリアの閉じ込めを行い得る構成とする。【構成】 化合物半導体基板1の主面1Sが{001}結晶面から〈110〉結晶軸方向に傾けられた面より成り、この主面1S上に〈110〉結晶軸方向に沿う方向に延長するリッジ2もしくは溝を設け、化合物半導体基板1上に化合物半導体層10がエピタキシャル成長され、この化合物半導体層10の少なくとも一部をリンを含む半導体材料により構成し、これら化合物半導体層10に少なくとも{111}B結晶面を有する機能層(活性層5)を設けて構成する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板の主面が{001}結晶面から〈110〉結晶軸方向に傾けられた面より成り、上記主面上に、〈110〉結晶軸方向に沿う方向に延長するリッジもしくは溝が設けられ、上記化合物半導体基板上に化合物半導体層がエピタキシャル成長され、上記化合物半導体層の少なくとも一部がリンを含む半導体材料より成り、上記化合物半導体層に少なくとも{111}B結晶面を有する機能層が設けられて成ることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 29/804
, H01S 3/18
