特許

J-GLOBAL ID：200903082721429271

化合物半導体装置及びその製造方法

発明者： 松田 一
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251515
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077127
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体装置の製造方法に関し、電極と半導体層のショットキー接合界面での反応生成物の形成を防止するとともに、電極の構成元素の半導体層への拡散を防止し、さらに半導体層の構成元素の電極への拡散を防止すること。【解決手段】化合物半導体層1に不純物を導入して第1不純物導入層3を形成する工程と、第1不純物導入層3の上に、窒素吸収層4と窒素含有高融点金属層5を順に形成する工程と、窒素含有高融点金属層5をパターニングして第1の電極Gを形成する工程と、窒素吸収層4をパターニングして前記第1電極Gの一部とする工程と、化合物半導体層1を加熱することにより、前記不純物を活性化すると同時に窒素含有高融点金属層5内の窒素を窒素吸収層4に吸収させる工程とを含む。

請求項（抜粋）：

化合物半導体層の上に形成されて該化合物半導体層にショットキー接合する窒素含有の高融点金属層と、前記高融点金属層と前記化合物半導体層の間に形成されたストイキオメトリックな窒化金属を有する窒化金属層とを有することを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 29/80 M ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/48 H

Fターム (24件)：

4M104AA05 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104BB39 ,  4M104CC03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GR16 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GT05 ,  5F102HA02 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC18 ,  5F102HC21