特許
J-GLOBAL ID：200903082725227290
多結晶半導体の製造方法および製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149179
公開番号（公開出願番号）：特開平9-002897
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：
【要約】【目的】 高品質、結晶学的に優れた半導体多結晶を再現性よく低コストでるつぼにおいて成長させる。【構成】 半導体に対して不活性な雰囲気下で、半導体の種結晶を底面に配置したるつぼ内に半導体材料を装入し、るつぼ内で半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、るつぼ底部から熱を奪いながら底部の下面温度T1を半導体材料の融点以下に保ち、次いでるつぼを冷却し融解材料を凝固させる多結晶半導体の製造方法において、るつぼを加熱昇温しながらるつぼ底部の下面温度T1を測定し、その温度の時間変化率ΔTが設定値以上になるとるつぼの加熱手段による加熱を停止し、実質的に種結晶を融解することなしに半導体材料のみを融解した後、融解材料を凝固させ種結晶から多結晶を成長させることを特徴とする方法およびそれに使用する製造装置。
請求項（抜粋）：
半導体に対して不活性な雰囲気下で、半導体の種結晶を底面に配置したるつぼ内に半導体材料を装入し、るつぼ内で半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、るつぼ底部から熱を奪いながら底部の下面温度T1を半導体材料の融点以下に保ち、次いでるつぼを冷却し融解材料を凝固させる多結晶半導体の製造方法において、るつぼを加熱昇温しながらるつぼ底部の下面温度T1を測定し、その温度の時間変化率ΔTが設定値以上になるとるつぼの加熱手段による加熱を停止し、実質的に種結晶を融解することなしに半導体材料のみを融解した後、融解材料を凝固させ種結晶から多結晶を成長させることを特徴とする多結晶半導体の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 28/06
, C30B 11/00
, C30B 29/06 501
, H01L 21/208
C30B 28/06
, C30B 11/00 Z
, C30B 29/06 501 Z
, H01L 21/208 Z
