特許

J-GLOBAL ID：200903082730434130

半導体装置およびその作製方法

発明者： 安達 広樹 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161364
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340471
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 陽極酸化用の電圧供給配線を形成せずに配線を陽極酸化する。【解決手段】 アルミニウムでなる第2の配線層103は配線ごとに分離されて形成され、タンタルでなる金属膜101によって電気的にショートされている。第1の金属膜101に電圧を印加することによって、前記第2の配線層103を陽極酸化して、その表面に配線層103の陽極酸化物膜(アルミナ膜)105を形成する。陽極酸化物105をマスクにして、陽極酸化物104をエッチングして第1の配線層106を形成し、配線層103と106が積層した配線110が完成する。

請求項（抜粋）：

ボトムゲート型薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記ボトムゲート型トランジスタのゲート配線は、第1の導電膜でなる第1の配線層上に、第2の導電膜でなる第2の配線層が積層され、前記第1の配線層を酸化して形成された前記第1の酸化物膜と、前記第2の配線層を酸化して形成された前記第2の酸化物膜と、を有し、前記第2の配線層の下部は、前記第1の配線層のみに接し、前記第2の酸化物膜の下部は、前記第1の配線層及び前記第1の酸化物膜とに接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 617 L ,  H01L 29/78 617 W