特許
J-GLOBAL ID：200903082735412100
電気的に書込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042696
公開番号（公開出願番号）：特開平5-250886
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】ベリファイ時、システムの電源電圧を高く設定しなくても、データの書込み状態の深さの確認及び保障ができるようにする。【構成】ベリファイ時、通常の読出し動作時の電源電圧より高い電圧を発生する発振回路5,内部昇圧回路6,及び電圧クランプ回路7を設ける。Xデコーダ3に電圧クランプ回路7の出力電圧Vpgを選択ワード線WLへ供給する回路を設ける。
請求項（抜粋）：
行,列マトリクス状に配列されソースを共通接続する電気的に書込み消去可能な複数のメモリセル、これら各メモリセルのゲートに各行ごとに接続する複数のワード線、及び前記各メモリセルのドレインに各列ごとに接続する複数のビット線を備えたメモリセルアレイと、アドレス信号に従って前記複数のワード線のうちの所定のワード線を選択レベルとするワード線選択回路と、データベリファイ動作時、前記選択レベルのワード線と前記各メモリセルの共接続点との間に通常の読出し動作時より高い電圧を供給する高電圧供給手段とを有することを特徴とする電気的に書込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置。
引用特許：
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