特許

J-GLOBAL ID：200903082741975973

多層レジストパターンの形成方法,及び半導体装置の製造方法

発明者： 中谷 光徳 ,  小島 善樹 ,  中野 博文
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-313099
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169669
出願日： 1993年12月14日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 下層レジストパターンと、上層レジストパターンとを所望のパターン形状に形成することができる多層レジストパターンの形成方法を得る。【構成】 下層レジストパターン6を形成し、該下層レジストパターン6をそのガラス転移温度以上の温度に加熱してベークした後、該加熱によりその結晶化度が高められた下層レジストパターン6上に、上層レジストパターン7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1のレジストパターンを形成する工程と、該第1のレジストパターンをそのガラス転移温度以上の温度に加熱する工程と、上記そのガラス転移温度以上の温度に加熱された第1のレジストパターン上に第2のレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする多層レジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/30 573 ,  H01L 21/30 566

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-218053
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-251410   出願人：富士通株式会社
• 特開昭62-081714