半導体ウェーハの薄膜形成方法および半導体ウェーハの薄膜形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140639
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331943
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】薄膜の品質に影響を与えることなく、しかも薄膜成長炉に大きな構造の変更を加えることなく最小で簡易な構造の変更を加えるだけで、滞留を取り除く。【解決手段】第1の吐出口14とは別の第2の吐出口15からガス18が矢印Kに示す方向に吐出される。このため第1の吐出口14から吐出され薄膜成長炉10内で上昇した成長ガス18の流れQに対向するガスの流れRが当該薄膜成長炉10内で形成される。これにより成長ガス18が矢印Hに示すように排出口17に向かう。

請求項（抜粋）：

成長ガスを第1の吐出口から吐出させ半導体基板の表面に供給することにより所望の不純物濃度の半導体薄膜を前記半導体基板の表面に形成するとともに、薄膜形成後に前記成長ガスを排出口から薄膜成長炉の外部に排出させるようにした半導体ウェーハの薄膜形成方法において、前記第1の吐出口とは別の第2の吐出口からガスを吐出させ、前記第1の吐出口から吐出され前記薄膜成長炉内で上昇した成長ガスの流れに対向するガスの流れを当該薄膜成長炉内で形成し、成長ガスを前記排出口に向かわせるようにしたことを特徴とする半導体ウェーハの薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/205 , H01L 29/78 655 Z

Fターム (21件)：

5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC05 , 5F045AC19 , 5F045AD15 , 5F045AE29 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045BB05 , 5F045BB08 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EE04 , 5F045EE20 , 5F045EF01 , 5F045EF02 , 5F045EF03 , 5F045EF08 , 5F045EF20 , 5F045EK03

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