特許

J-GLOBAL ID：200903082745260049

無電解メッキ膜付電子部品の製造方法

発明者： 森田 悟史 ,  本多 敏光
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 佐野 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-084625
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264371
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】塗膜による厚膜の上にバレル電解メッキを行うとメッキ膜の膜厚がばらつき、はんだ付け時にはんだ濡れ性が悪くなり、これを避けようとすると多層のバレル電解メッキ膜を設ける必要がなり、工程数が多く、コスト高になる。【構成】外部電極を下地層と錫含有メッキ層を有する複数の導電層から構成し、その少なくとも1層を無電解メッキ膜により形成する。錫含有メッキ層を無電解メッキ膜により形成し、かつ熱処理をする。【効果】無電解メッキ膜は膜厚のばらつきを少なくでき、工程数を少なくできるとともに、コストを低減できる。無電解メッキ膜の上に錫含有メッキ層を設ければその膜厚のばらつきも少なくでき、はんだ濡れ性を良くでき、その熱処理によりさらにそのはんだ濡れ性を向上できる。

請求項（抜粋）：

少なくともセラミック素体に外部電極を有する電子部品の製造方法において、該外部電極は下地層と錫含有メッキ層を表面層に有する複数の導電層を有し、該複数の導電層の少なくとも1層は無電解メッキ膜形成工程により形成される無電解メッキ膜付電子部品の製造方法。

IPC (4件)：

H01G 4/12 364 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/52 ,  H01G 4/30 311

FI (4件)：

H01G 4/12 364 ,  C23C 18/31 Z ,  C23C 18/52 B ,  H01G 4/30 311 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-050417
  
• 特開平4-185103
  
• 特開平3-179713