特許

J-GLOBAL ID：200903082748392418

半導体装置における絶縁膜形成方法及びCVD装置

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-283968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115091
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】下地の表面特性に対する依存性が少なく、しかも配線パターンに対する依存性も少ない絶縁膜形成方法を提供する。【構成】有機シリコン化合物と酸化剤との気相反応により生成した中間体を基体表面で反応させて、基体表面に絶縁膜を形成する半導体装置における絶縁膜形成方法は、絶縁膜の形成中に中間体の組成を変化させることを特徴とする。中間体の組成は、酸化剤/有機シリコン化合物の割合を増加させることによって、あるいは又、有機シリコン化合物と酸化剤との気相反応時間を短くすることによって変化させられ、後者の場合、例えば、有機シリコン化合物と酸化剤とが混合される領域から基体までの距離を短くすることで、有機シリコン化合物と酸化剤との気相反応時間を短くすることができる。

請求項（抜粋）：

有機シリコン化合物と酸化剤との気相反応により生成した中間体を基体表面で反応させて、基体表面に絶縁膜を形成する半導体装置における絶縁膜形成方法であって、絶縁膜の形成中に中間体の組成を変化させることを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/90 P