特許
J-GLOBAL ID：200903082749476283
薄膜コンデンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-285895
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129149
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 電子機器等における電子回路に使用される薄膜コンデンサにおいて、薄膜誘電体、内部電極等のパタ-ン形状が精度高く形成できないという課題を解決し、グレ-ズ上に形成する誘電体、内部電極等の薄膜および無機絶縁膜上の樹脂層を所定のパタ-ン形状で高精度に形成することができる薄膜コンデンサを提供する。【構成】 セラミック基板1上のグレ-ズ層2の膜厚を10〜25μm、グレ-ズ層の表面の平均中心線粗さRaを0.01〜0.2μmとする。【効果】 グレ-ズ層の上に形成する薄膜および保護樹脂等の所定のパタ-ン形状を高精度に形成することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一主面の両端部を除く領域にグレ-ズ層を形成したセラミック基板と、前記グレ-ズ層上に薄膜誘電体を間に介在させて積層され各一端が前記グレ-ズ層を越えて前記セラミック基板の両端部に一層毎交互に延長して配設された一対の内部電極と、前記積層された一対の内部電極および薄膜誘電体上に前記セラミック基板の両端部を除いて形成された無機絶縁膜と、その無機絶縁膜上に形成された樹脂層と、前記無機絶縁膜および前記樹脂層に被覆されていない前記内部電極の延長部分の前記セラミック基板の両端部に形成された外部電極を有する薄膜コンデンサであって、前記グレ-ズ層の膜厚が10μm〜25μmであり、かつ前記グレ-ズ層の表面の平均中心線粗さ(Ra)が0.01μm〜0.2μmであることを特徴とする薄膜コンデンサ。
引用特許：
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