特許

J-GLOBAL ID：200903082749574218

半導体製造装置

発明者： 大橋 弓弦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045336
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243710
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 ガスを導入してウェハに対して処理を行う反応室内におけるウェハの表面で吸着するガスの面内分布を均一化する一方で、その均一化のための調整作業を簡易化した半導体製造装置を提供する。【解決手段】 反応室内にガスを供給し、そのガスにより反応室内のウェハに対して所望の処理を行うための半導体製造装置であって、反応室の内壁2に沿ってガスが供給される環状溝7が形成され、その環状溝7の周方向の複数箇所に反応室1内にガスを導くガス導入管4が連通接続され、環状溝7とガス供給管4の間のガス流路(ガス供給穴6)にガスを通過する微細穴5aを有する薄板5を配設する。環状溝7からガス供給管4に流れるガスは、微細穴5aにおいて絞られて環状溝7の全周に均一に拡散され、さらに微細穴5aを通ってガス導入管4に流れ、反応室1に流入されるため、複数のガス供給管4からのガスの流量が均一化でき、反応室1内のウェハ表面でのガスの面内分布が均一化する。

請求項（抜粋）：

反応室内にガスを供給し、前記ガスにより前記反応室内の半導体基板に対して所望の処理を行うための半導体製造装置であって、前記反応室の内壁面に沿って前記ガスが供給される環状溝が形成され、前記環状溝の周方向の複数箇所に前記反応室内に前記ガスを導くガス導入管が連通接続され、前記環状溝と前記ガス供給管の間のガス流路に前記ガスを通過する微細穴を有する部材が配設されていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/302 B

Fターム (12件)：

4K030CA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  5F004AA01 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F045BB02 ,  5F045EE20 ,  5F045EF02 ,  5F045EF08 ,  5F045EF15