特許

J-GLOBAL ID：200903082751449242

レジスト膜の処理方法

発明者： 西山 芳英
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 中村 勝成 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162152
公開番号（公開出願番号）：特開平5-333563
出願日： 1992年05月28日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：

【要約】【目的】 従来のベーキング処理の場合のように、レジスト割れ等の不良品の発生がなく、簡単安価に短時間でレジスト膜のエッチング液に対する耐薬品性を向上する。【構成】 材料表面に形成した現像処理と硬膜処理した水溶性高分子-クロム系レジスト膜に、レジストの感光波長領域を含む光を照射するレジスト膜の処理方法。

請求項（抜粋）：

材料表面に形成した現像処理と硬膜処理した水溶性高分子-クロム系レジスト膜に、レジストの感光波長領域を含む光を照射することを特徴とするレジスト膜の処理方法。