特許

J-GLOBAL ID：200903082752316076

半導体装置のコンタクトホール形成方法

発明者： 駒井 正嗣 ,  四元 衆
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229564
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283358
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：

【要約】【構成】 基板上にSiO2 膜12を成膜し、SiO2 膜12上にレジスト13を塗布してレジスト13に全面露光及びマスク露光を施し、現像してレジストパターンを形成した後に、CF4 、CHF3 ならびにHeまたはArの混合ガスでSiO2 膜12をエッチングすることを特徴とする半導体装置のコンタクトホール形成方法。【効果】 レジストを塗布したウエハに露光・現像処理を施してレジストパターンを形成する際、全面露光とマスク露光とを組み合わせて行なうことによりレジストパターンのテーパ角を調整でき、その後に異方性エッチングを施せば、テーパ角を有するSiO2 膜のコンタクトホールが形成されるので、コンタクトホール部での配線の断線や埋め込み不良による導通不良を防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板上にSiO2 膜を成膜し、該SiO2 膜上にレジストを塗布して該レジストに全面露光及びマスク露光を施し、現像してレジストパターンを形成した後に、CF4 、CHF3 ならびにHeまたはArの混合ガスで前記SiO2 膜をエッチングすることを特徴とする半導体装置のコンタクトホール形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-316429
  
• 特開昭61-091948
  
• 特開昭63-027024
  
• 特開昭63-258022