特許
J-GLOBAL ID：200903082752508900
固体電解コンデンサの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296459
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147217
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【構成】第1のレジスト層3を陽極リード植立面に形成する。第2のレジスト層4を陽極リード1A上に形成し、第2のレジスト層を残して第1のレジスト層3を除去した後、導電性高分子化合物層5および5Aを形成する。陽極リード1A上に形成された第2のレジスト層4及び導電性高分子化合物層5Aの両者を同時に除去することによって、陰極層である導電性高分子化合物層5と外部陽極リード端子9との電気的絶縁を確保する。【効果】弁作用金属酸化皮膜へのレジスト剤浸透が抑制されるので、容量出現率が高いコンデンサを製造できる。陽極リードと外部陽極リード端子との溶接を陽極植立面に近接した位置で行えるので、体積効率に優れかつ漏れ電流が小さい固体電解コンデンサを製造できる。
請求項（抜粋）：
陽極リードが植立された弁作用金属の多孔質成形体に誘電体としてその弁作用金属の酸化皮膜を形成する工程と、前記酸化皮膜上に固体電解質としての導電性高分子化合物層を形成する工程とを含む固体電解コンデンサの製造方法において、前記導電性高分子化合物層の形成工程が、前記多孔質成形体の少くとも前記陽極リード植立面を含む外周面を覆ってその覆われた部分の前記酸化皮膜を保護する第1のレジスト層を形成する工程と、少なくとも前記陽極リードを含む部分を、前記酸化皮膜に直接接触することのないように覆って、前記陽極リードを保護する第2のレジスト層を形成する工程と、前記第1のレジスト層を除去すると共に前記第2のレジスト層を前記陽極リード上の部分のみ残して除去し、前記多孔質成形体に形成した全酸化皮膜を露出させる工程と、前記陽極リード上に残した第2のレジスト層および露出させた前記酸化皮膜上に前記導電性高分子化合物層を形成する工程と、前記陽極リード上に残した第2のレジスト層を除去すると共に、前記導電性高分子化合物層のうち前記陽極リード上の第2のレジスト層上に形成された部分を同時に除去する工程とを含んでいることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
IPC (3件)：
H01G 9/00
, H01G 9/028
, H01G 9/012
H01G 9/24 C
, H01G 9/02 331 E
, H01G 9/05 E
