特許
J-GLOBAL ID:200903082756933894
プログラム可能デバイスのためのコンタクト改善方法及び装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-529027
公開番号(公開出願番号):特表2005-536052
出願日: 2002年08月14日
公開日(公表日): 2005年11月24日
要約:
一特徴において、プログラム可能なデバイスの状態を設定し、再プログラムする装置を提供する。一特徴において、開口が、基板(110)上に形成されたコンタクト(170)を晒す、誘電体(210)を貫いて形成される方法を提供する。コンタクトの比抵抗は、コンタクトにイオンを注入すること(175)、コンタクトに材料を堆積すること及びプラズマを用いてコンタクトを処理することの少なくとも1つにより改善される。一特徴において、スペーサ(102)は、開口及びプログラム可能な材料において形成され、好適には、カルコゲナイドが開口内および改善されたコンタクト上に形成される。導体(410)はプログラム可能な材料上に形成され、コンタクトは信号ラインに伝送する。
請求項(抜粋):
コンタクト上に誘電体を形成する段階であって、前記コンタクトは基板上に形成されている、段階;
前記コンタクトを晒す、前記誘電体を通る開口を、形成する段階;
前記コンタクトの比抵抗を改善する段階;
前記開口内にプログラム可能材料を形成する段階であって、前記プログラム可能材料は前記コンタクト上にある、段階;及び
前記プログラム可能材料に導体を形成する段階;
から構成されることを特徴とする方法。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L27/10 448
, H01L27/10 461
, H01L45/00 A
Fターム (16件):
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA35
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA53
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083NA01
, 5F083PR10
, 5F083PR36
, 5F083PR37
, 5F083ZA12
, 5F083ZA13
, 5F083ZA14
引用特許:
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