特許
J-GLOBAL ID：200903082757131473
局部相互接続のオーバパス・マスク/絶縁体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118787
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064822
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 本発明は局部相互接続のユーティリティを大幅に改良する新規な方法と構造とを有する。これらの方法と構造により、挿入された局部相互接続部は、ある露出されたデバイスと選択的に接続でき、且つ互いに絶縁を保つことができる。【構成】 本発明に従いゲート36は導電性の材料57から完全に絶縁され、一方、他の局部構造体は、例えばゲート40及び拡散物49などの導電性の材料57と電気的に接続されている。更にスタック構造体31及び33の高さは等しい。これは使用されるマスキング及びエッチング・シーケンスのためである。この等しい高さによりスペーサの幅はスタック構造体の外部表面に沿って等しく形成される。
請求項（抜粋）：
半導体の製造方法であってa)電気的絶縁性材料の第1のマスクを電気的導電性材料にダマシーニングするステップと、b)上記電気的導電性材料上に第2のマスクを形成するステップと、c)オーバパス伝導体の伝導体イメージを画定するために上記第1のマスクと上記第2のマスクとを使用するステップと、d)上記オーバパス伝導体から上記電気的導電性材料の1部を電気的に絶縁するオーバパス絶縁体として上記第1のマスクを保持するステップと、を有する、半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 X
, H01L 21/90 J
