面出射形半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：本庄伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-152833
公開番号（公開出願番号）：特開平5-327121
出願日： 1992年05月20日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：

【要約】【目的】少ない積層層厚と優れた反射率特性が期待できる反射板を用いたより平坦な形状でありかつ低閾値の面出射形半導体レーザを提供することにある。【構成】多層反射膜11及び13を構成する2種の層に、発振波長より小さいバンドギャップ波長を有する組成でかつ4分の1波長の層厚を有する半導体層と、空気または真空層とを用いる。【効果】従来の半導体層を用いる場合に比べ屈折率比で3.2と非常に大きくできる為、3周期の積層構造で反射率が99.9%で、積層層厚は1.3μmと従来にくらべて非常に薄くかつ高反射率化できる。従って、従来に比べ集積化が容易な平坦な形状にでき、かつ、反射率を高くできる為発振閾値をより低減できる。

請求項（抜粋）：

発光層と前記発光層を挟む2つの反射鏡が基板面と平行に積層された構造を有する面出射形半導体レーザにおいて、前記反射鏡が出射光の波長より小さいバンドギャップ波長を有する半導体層と前記半導体層で挟まれた空気または真空層との少なくとも1周期の繰り返しからなる多層反射膜であることを特徴とする半導体レーザ。

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