半導体素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大西孝治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-259415
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077726
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【目的】基板に絶縁性又は高抵抗のものを用いたとしても、従来のように組立装置や副材料に専用品を必要とせず、放熱性に優れた半導体素子とする。【構成】発光ダイオード素子1000は、Al2 O3 からなる絶縁性の基板1100の上にN層110、活性層1120、P層1130、P側透明電極層1140等の各層が積層されて構成されている。そして、N層1110の一部が露出されている。N層1110には、半導体素子の表面側に露出した電極としてのオーミックコンタクト部1180が形成されている。基板1100は、裏面側に導電性を有する裏面側ボンディングパッド部1160が全面にわたって形成されている。そして、裏面側ボンディングパッド部1160と、オーミックコンタクト部1180とは、発光ダイオード素子1000の側面に形成された導電性膜1170によって電気的に接続されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性又は高抵抗の基板の上に各層が積層されてなる半導体素子において、半導体素子の表面側に露出した電極と、半導体素子の側面と表面の一部と裏面の一部とにわたって形成された導電性膜とを具備しており、前記導電性膜は前記電極に接続されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/52 , H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 33/00 N , H01L 21/52 A , H01L 21/60 301 B

Fターム (17件)：

5F041AA33 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F041EE23 , 5F044AA01 , 5F044EE02 , 5F044EE04 , 5F044KK01 , 5F044QQ06 , 5F044RR08 , 5F047AA11 , 5F047AA13 , 5F047CA01 , 5F047CA08

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-176033 出願人：株式会社東芝
発光装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-308181 出願人：三洋電機株式会社
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-042117 出願人：株式会社東芝

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