特許

J-GLOBAL ID：200903082761926391

磁気ディスク保護膜の形成方法

発明者： 小畑 毅 ,  馬場 和宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121040
公開番号（公開出願番号）：特開平5-298689
出願日： 1992年04月16日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 厚さ300オングストローム以下においてもきわめて高い硬度を持ち、さらに密着性、耐摩耗性、潤滑性に優れており、高密度記録技術の要求に十分耐え得る実用性の高い磁気ディスク保護膜の形成方法を提供する。【構成】 磁気ディスク基体上に、水素を5〜30原子%含有する硬質非晶質炭素保護膜を設ける方法において、該磁気ディスク基体表面を、予めアルゴンガスまたは水素ガスの直流グロー放電プラズマにより清浄化した後、該硬質非晶質炭素保護膜を直流グロー放電プラズマCVD法により形成する。

請求項（抜粋）：

磁気ディスク基体上に、水素を含有する硬質非晶質炭素膜からなる保護膜を形成する方法であって、真空装置内に配置された磁気ディスク基体表面を直流グロー放電プラズマにより清浄化した後に、真空装置内で連続して硬質非晶質炭素保護膜を直流グロー放電プラズマCVD法により形成する工程を備えてなることを特徴とする磁気ディスク保護膜の形成方法。